Intel und Micron haben heute ihre gemeinsam entwickelte 3D-NAND-Technologie vorgestellt, die Flash-Bausteine mit der weltweit höchsten Speicherdichte möglich macht.

3D-NAND erlaubt die Herstellung von SSDs in der Größe eines Kaugummistreifens mit mehr als 3,5 TByte Speicherplatz sowie für Standard SSDs im 2,5 Zoll-Format mit einer Kapazität von mehr als 10 TByte. Die neue Technologie stapelt Schichten aus Datenspeicherzellen vertikal mit außerordentlicher Präzision, so dass künftige SSDs und andere Datenspeicher eine dreimal höhere Kapazität1 aufweisen als bei konkurrierenden NAND-Technologien. Die höhere Speicherdichte erlaubt kleinere Formfaktoren und senkt Kosten sowie Stromverbrauch.

Da die Skalierungsgrenzen für flache NAND-Flash-Speicher nahezu ausgereizt sind, steht die Speicherindustrie vor großen Herausforderungen. Einer der wichtigsten Aspekte der 3D-NAND-Technologie ist die zugrunde liegende Speicherzelle. Intel und Micron verwendeten eine Floating-Gate-Zelle, ein universell einsetzbares Design, das im Laufe der Jahre in der Fertigung von flachen Flash-Speichern stetig verfeinert wurde. Ein Floating-Gate ist im Transistor elektrisch isoliert, wird als Ladungsspeicher verwendet und kann so auch ohne Stromzufuhr Informationen behalten. Intel und Micron nutzen erstmals Floating-Gate-Zellen im 3D-NAND-Verfahren. Die neue Technologie stapelt 32 Schichten aus Speicherzellen vertikal in einem Standard Package und erreicht so in Multi Level Cells (MLC) eine Kapazität von 256 Gigabit, in Triple Level Cells eine Kapazität von 384 Gigabit. Bei Multi-Level-Cells werden zwei, bei Triple-Level-Cells drei Bit pro Zelle gespeichert.