Den ersten völlig neuartigen Typ nichtflüchtiger Speicher seit 25 Jahren stellen ab sofort Intel und Micron her.
Die neue 3D-XPoint-Technologie erhöht die Geschwindigkeit von nicht flüchtigem Speicher im Vergleich zum heute vorherrschenden NAND-Speicher um den Faktor 1 000. Dank einzigartiger Materialverbindungen und einer Cross-Point-Architektur weist die neue Speichertechnologie eine zehnmal höhere Dichte als herkömmlicher Speicher auf. Die neue Technologie stellt einen wichtigen Durchbruch in der Speicherfertigung dar und bildet die erste neue Speicherkategorie seit der Einführung von NAND-Flash im Jahr 1989. Intel und Micron haben bereits die Produktion der ersten Chips gestartet.
“Die Industrie sucht bereits seit Jahrzehnten nach Wegen, um die Verzögerung zwischen dem Prozessor und den Daten zu reduzieren und damit Analysen zu beschleunigen”, sagte Rob Crooke, Senior Vice President and General Manager der Non-Volatile Memory Solutions Group bei Intel. “Diese neue Gattung nicht flüchtigen Speichers erreicht dieses Ziel und bringt wegweisende Leistung für Storage-Lösungen.” “Eine der größten Hürden des modernen Computings ist die Zeit, die der Prozessor für den Zugriff auf Daten im Langzeit-Speicher benötigt”, sagte Mark Adams, President von Micron. “Diese neue Kategorie von nicht flüchtigem Speicher stellt eine revolutionäre Technologie dar. Sie erlaubt schnellen Zugriff auf riesige Datenmengen und ermöglicht völlig neue Anwendungen.”
Wichtige Details der neuen Technologie sind:
- Cross-Point-Struktur des Arrays: Senkrechte Leiter verbinden 128 Milliarden dicht gepackte Speicherzellen, von denen jede Zelle ein einzelnes Daten-Bit speichert. Diese kompakte Bauweise führt zu einer hohen Leistung und hoher Bit-Dichte.
- Stapelbar: Zudem sind die Speicherzellen in mehreren Schichten gestapelt. Die erste Version der Technologie wird pro Die über eine Kapazität von 128 GB über zwei Speicherschichten verfügen. Zukünftige Generationen der 3D-XPoint-Technologie werden mehr Speicherschichten umfassen und in Ergänzung zu einem verbesserten lithografischen Verfahren (kleinere Strukturbreiten) die Kapazität des Systems weiter erhöhen.
- Selektor: Für den Zugriff, das Lesen und Schreiben der Speicherzellen wird die Spannung variiert, die an den einzelnen Selektoren angelegt wird. Da dadurch keine Transistoren mehr notwendig sind, steigt die Kapazität bei sinkenden Kosten.
- Schnelle Schaltzelle: Dank der kleinen Zellgröße, schnell schaltendem Selektor, dem Cross-Point-Array mit geringer Latenzzeit und einem schnellen Schreib-Algorithmus wechselt die Zelle ihren Status (Ein/Aus) schneller als jede andere aktuelle Technologie für nicht flüchtigen Speicher.
Erste Muster der 3D XPoint Technologie werden im Laufe dieses Jahres veröffentlicht. Intel und Micron entwickeln individuelle Produkte auf Basis der Technologie.
